Produkter för elektroniska dig (2)

typ BN-AA BN-AB BN-AT BN-AS BN-AY BN-AZ BN-SA BN-SC storlek 1-3um 4-8um 10-13um 15-20um 28-30um 7-9um 30-100um 100-150um Utseende Pulver Färg Vit Partikelstorlek 1-40um Renhet 99.5% Hbn Boron Nitride Densitet 0.9-1.1 G/Ml vid 25 °c pH 5-8 (100g/L, H2O, 20ºC)(Slurry) Smältpunkt Sublimerar SL under 3000 Vattenlöslighet Löslig i vatten Syre <0.022%-0.1% Metalliskt <0.2% Kol 0.05% Teknik Högfrekvent plasma metod Transportförpackning Luftfrakt säker förpackning Ursprung Kina HS-kod 2850000090 Produktionskapacitet 50000 ton per månad

Grad AIN-HT140 AIN-HT170 AIN% >99.5% >99.5 Produktion Process Het Pressning Het Pressning Densitet >3.26 >3.26 Termisk ledningsförmåga >140 >170 Ytlighet <2 <2 Hårdhet 800 850 Böjstyrka >350 >350 Produktprestanda och fördelar 1. Produkten har hög termisk ledningsförmåga och utmärkt elektrisk isoleringsprestanda. 2. Produkten har hög styrka vid rumstemperatur och hög temperaturstyrka. 3. Produkten har en liten expansionskoefficient och god termisk ledningsförmåga. 4. Fördelar vid hög temperaturbeständighet i icke-oxiderande atmosfärer. 5. Motståndskraftig mot korrosion av metaller som järn, aluminium och legeringar. Typiska tillämpningar 1. Produkten kan användas som ett högtemperaturkonstruktion och värmeväxlarmaterial. 2. Material som smältugnar för metallsmältning, behållare för vakuumavdunstningsbeläggning. 3. Värmebeständiga fästen, etc. 4. Mikrovågsdielektriska material. 5. Hög termisk ledningsförmåga aluminium-nitrid keramisk substrat. 6. Syntetisera högkvalitativ LED-fluorescerande pulver. 7. Termisk ledande fyllmedel. Tillämpningsområde: 1. Elektronisk förpackning och keramiska substrat: Den höga termiska ledningsförmågan, elektriska isoleringen och den termiska expansionskoefficienten av aluminium-nitrid, som matchar halvledarmaterial som kisel, gör det till ett idealiskt material för den nya generationen av värmeavledande substrat och elektroniska enhetsförpackningar. Det är lämpligt för förpackning av hybridkraftbrytare och mikrovågsvakuumrörs förpackningsskalmaterial, och är också ett idealiskt material för stora integrerade kretssubstrat. 2. Termiskt ledande materialfyllmedel: Aluminium-nitridpulver kan förbättra den termiska ledningsförmågan hos material och används i TIM (termiska gränssnittsmaterial), såsom termisk lim, termisk fett och FCCL termiskt ledande dielektrisk lagerfyllmedel. Det används i stor utsträckning som ett värmeöverföringsmedium i elektroniska enheter. 3. Strukturella keramer: Aluminium-nitrid keramiska strukturella komponenter har utmärkta egenskaper såsom hög termisk ledningsförmåga, låg dielektrisk förlust och goda mekaniska egenskaper. De kan användas för att tillverka halvledarelektrostatiska sugkoppar, högtemperaturkorrosionsbeständiga komponenter och används i stor utsträckning inom halvledar-, medicinska och andra områden. 4. Andra tillämpningar: Aluminium-nitrid kan också användas som en grundläggande råvara för ångdepositionsugnar, metallsmältugnar och gjutformar. Nano aluminium-nitrid kan förbättra den termiska ledningsförmågan, styvheten och styrkan hos matrismaterial.